Samsung ha mostrato il primo mockup fisico della memoria HBM5 durante Computex 2026 a Taipei, presentando anche una nuova soluzione di raffreddamento integrata chiamata Heat Path Block (HPB). La tecnologia rappresenta un nuovo passo nella corsa alle memorie destinate all’intelligenza artificiale, un settore in cui la gestione del calore sta diventando un elemento sempre più decisivo.
La presentazione arriva pochi giorni dopo l’annuncio di SK hynix, che ha svelato una propria architettura termica denominata iHBM. Le due aziende coreane stanno quindi affrontando lo stesso problema tecnico: ridurre il calore generato nella zona di collegamento tra memoria e processore, chiamata die-to-die interface.
Il prototipo Samsung HBM5 mostrato a Computex 2026
Durante l’evento di Taipei, Samsung ha portato in esposizione una versione dimostrativa della sua HBM5 di ottava generazione, mostrando come la nuova memoria sarà abbinata a un sistema dedicato alla gestione termica.
L’azienda ha inoltre confermato che il base die della HBM5 verrà prodotto con il processo produttivo interno a 2 nm, un miglioramento rispetto ai nodi a 4 nm utilizzati per le precedenti generazioni HBM4 e HBM4E.
Samsung punta quindi a combinare maggiore densità, prestazioni superiori e una migliore efficienza nella gestione del calore, elementi diventati fondamentali con la crescita dei carichi di lavoro legati all’intelligenza artificiale generativa e al calcolo ad alte prestazioni.
Heat Path Block, la soluzione Samsung per il problema del calore
La principale novità della proposta Samsung è il sistema Heat Path Block (HPB), una struttura progettata per trasferire il calore dall’interno dello stack di memoria verso un dissipatore posizionato sopra o accanto al package.
Secondo Samsung, il design utilizza una serie di pilastri termici separati che consentono di allontanare il calore dalle aree più critiche della memoria. Il punto centrale dell’intervento è il livello D2D PHY, ovvero il collegamento ad alta velocità tra il base die HBM e il processore grafico.
Questa zona diventa particolarmente problematica quando gli stack aumentano in altezza e operano a velocità maggiori, perché la densità energetica e le temperature possono crescere rapidamente.
Samsung ha dichiarato di aver già implementato e verificato il sistema HPB sulla memoria HBM4E, per la quale ha iniziato a spedire campioni a 12 strati con velocità di 14 Gbps, destinati a raggiungere 16 Gbps, con una larghezza di banda di 3,6 TB/s per stack.
Samsung e SK hynix combattono la stessa battaglia termica
La sfida con SK hynix si concentra quindi sullo stesso punto critico, ma con strategie differenti. La società concorrente ha presentato la tecnologia iHBM, che integra elementi di raffreddamento realizzati in silicio termicamente conduttivo ma elettricamente isolante direttamente nello strato D2D PHY.
SK hynix sostiene che questa soluzione possa ridurre la resistenza termica di oltre il 30% rispetto ai prodotti attuali.
La differenza tra i due approcci è evidente: SK hynix cerca di raffreddare direttamente il punto in cui nasce il calore, mentre Samsung punta a creare un percorso più efficiente per trasferirlo lontano dalla zona critica.
Entrambe le tecnologie sono state pensate per la generazione HBM5, anche se il debutto commerciale non è previsto a breve. Le due aziende stimano infatti che la produzione su larga scala non inizierà prima del 2028.
HBM5 e il futuro delle infrastrutture AI
La necessità di nuove soluzioni termiche nasce dall’evoluzione degli acceleratori AI. Secondo una roadmap citata dal KAIST, la futura HBM5 potrebbe arrivare a un’interfaccia da 4.096 bit, circa 4 TB/s di banda per stack e consumi intorno ai 100 watt per stack.
Numeri che spiegano perché Samsung e SK hynix stiano lavorando già ora su sistemi di raffreddamento avanzati. Con l’aumento della potenza dei sistemi AI, infatti, la gestione del calore diventa importante quanto la velocità della memoria stessa.
Samsung, grazie alla presenza sia nel settore delle memorie sia nella produzione di chip logici, può sviluppare internamente l’intero pacchetto HBM5 e il relativo base die a 2 nm. L’azienda ha inoltre confermato la volontà di collaborare con partner tecnologici, tra cui Nvidia, per rafforzare la propria posizione nel mercato delle memorie di nuova generazione.
Fonte: Tom’s Hardware
